CVD金刚石极高的热导率,特别是可以得到具有片状大尺寸的材料,它将成为迄今为止最理想的热沉材料。它的最重要应用是高功率密度电子器件的散热。研究表明,激 光 二 极 管 工 作 区 温度每升高10度,其寿命下降50%。用CVD金刚石做热沉材料,可以提高输出功率、降低二极管结温,从而大大提高器件的寿命,并使器件的输出光放波长更稳定。
CVD金刚石在热沉方面另一个具有代表性的应用是大规模集成电路组装的TAB(apeAutomatedBonding)工具。TAB工 具 应 用 于IC卡、计算器、液晶显示器等多管脚集成电路芯片的键合工艺。它的特点是耐热、耐磨、抗腐蚀,特别是具有优异的导热性。
随着CVD技术的不断开展,所制备的高质量金刚石薄膜的透过率和热导率已与最好的天然金刚石(IIa型)非常接近,而且能实现大面和曲面化。尽 管在材料硅上制备类金刚石薄膜的红外透过波段宽,其红外透过率接近90%,但相较金刚石薄膜而言,其机械力学性能低,在恶劣环境条件下的适应性较差。
CVD金刚石膜具有非常好的散热性,电子设备趋于微型化的同时其功率却在不断增长,由此所产生的散热问题成为微电子封装技术的关键问题。现在,CVD金刚石膜在国外已经有热管方面应用 的例子,主要解决的是高功率大热流密度元件导致的系统散热问题,这包括高功率激光二极管阵列、二维多芯片组装(MCM)以及固态微波功率器件的散热应用。
CVD金刚石具有和单晶IIa型金刚石同样的最高热导率,它在最活跃的电子、光电子、光通讯等领域中作为高功率密度的高端器件的散热元件得到广泛的应用。主要应用在激光二极管及阵列、高速计算机CPU芯片多维集成电路、军用大功率雷达微波行波管导热支撑杆、微波集成电路基片、集成电路封装自动键合工具TAB等高技术领域。
为退烧而生的超级散热新材料。电子产品的性能越高,热管理就越困难,因为随着半导体元器件功率密度不断提高,热通量会越来越大,有些甚至高达数十kw/c㎡,是太阳能表面的5倍。半导体的开展方向已不仅仅是提升性能而已,发热量和散热表现也成为半导体设计中相当重要的因素。发热量主要与芯片制造工艺和温度控制方法有关,而散热表现则可以在材料和产品结构上下功夫。
CVD金刚石作为全新高级热管理解决方案,它尤其适用于射频功率放大器。CVD金刚石热沉片经证实能够降低整体封装热阻,其性能远超现在其它常用黏贴方法,CVD金刚石热沉片可为半导体封装给予可靠的热管理解决方案。